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MARQUES CUESTA, LUIS ALBERTO

CATEDRATICOS DE UNIVERSIDAD
Electricidad y Electrónica
ELECTRONICA
 
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[ OtraActividadPersonal ( Actividad: ( AAP32 , AAP , null , null , null , , , , Premio Extraordinario de Licenciatura. Universidad de Valladolid curso 92-93. , , S , ) ) , OtraActividadPersonal ( Actividad: ( AAP33 , AAP , null , null , null , , , , Premio al mejor expediente académico en la licenciatura de Ciencias. 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Ion Implantation and Annealing in Silicon , S , ) ) , CursoSeminario ( Acto ( CUR451 , CUR , CUR , CUR , , ___ , 2012-06-22 , 2012-06-22 , , 724 , 44597 , Valladolid , Ion Implantation Science and Technology School , Modeling Ion Implantation in Modern Devices , S , ) ) , CursoSeminario ( Acto ( CUR449 , CUR , ALT , ALT , , ___ , 2011-06-08 , null , , 392 , 999 , Kioto , Seminario en la Universidad de Kioto , Atomistic Modeling of boron cluster implantation into silicon , S , ) ) ][ EstanciaInvestigacion ( Actividad: ( ESF59897 , ESF , 2007-10-01 , 2007-12-21 , null , , , , Paralelización de un código de dinámica molecular clásica para semiconductores , , S , ) ) , EstanciaInvestigacion ( Actividad: ( ESF59899 , ESF , 1996-07-01 , 1996-09-04 , null , , , , Simulación de procesos de mezclado por haces de iones en semiconductores , , S , ) ) , EstanciaInvestigacion ( Actividad: ( ESF59898 , ESF , 1995-02-01 , 1995-12-21 , null , , , , Simulación del sputtering y la re-cristalización del silicio inducidos por radiación , , S , ) ) ][ EstanciaInvestigacion ( Actividad: ( ESF59897 , ESF , 2007-10-01 , 2007-12-21 , null , , , , Paralelización de un código de dinámica molecular clásica para semiconductores , , S , ) ) , EstanciaInvestigacion ( Actividad: ( ESF59899 , ESF , 1996-07-01 , 1996-09-04 , null , , , , Simulación de procesos de mezclado por haces de iones en semiconductores , , S , ) ) , EstanciaInvestigacion ( Actividad: ( ESF59898 , ESF , 1995-02-01 , 1995-12-21 , null , , , , Simulación del sputtering y la re-cristalización del silicio inducidos por radiación , , S , ) ) ][ ExperienciaGestionID ( Actividad: ( EXP175 , EXP , null , null , 2010-01-01 , ALT , , , Grupo de Investigación Reconocido de Electrónica , , S , ) ) ][][][ Proyecto ( ActivEquipo ( PJI60182 , PJI , TEC2017-86150-P , 2018-01-01 , 2020-12-31 , null , 54450 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI60138 , PJI , VA119G18 , 2018-06-05 , 2020-09-30 , null , 12000 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI59863 , PJI , VA097P17 , 2017-07-26 , 2019-10-31 , null , 100950 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI53196 , PJI , TEC2014-60694-P , 2015-01-01 , 2017-12-31 , 2018-12-31 , 62920 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI53211 , PJI , VA331U14 , 2014-01-01 , 2017-12-31 , null , 15755 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI54022 , PJI , TEC2011-27701 , 2012-01-01 , 2015-12-31 , 2015-12-31 , 87967 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI52370 , PJI , TEC2008-06069/TEC , 2009-01-01 , 2011-12-31 , null , 86031 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI49570 , PJI , VA011A09 , 2009-05-05 , 2010-12-31 , null , 16400 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI49126 , PJI , TEC2005-05101 , 2005-10-15 , 2008-12-31 , null , 152558 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI48864 , PJI , VA070A05 , 2005-06-16 , 2007-12-31 , null , 27300 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI47517 , PJI , VA010/02 , 2002-02-19 , 2004-11-20 , null , 19273 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI47796 , PJI , BFM2001-2250 , 2001-12-28 , 2005-06-27 , null , 213058.77 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI47111 , PJI , VA14/00B , 2000-01-26 , 2001-12-31 , null , 3879.54 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI47496 , PJI , PB98-0348 , 1999-12-30 , 2001-12-30 , null , 134626.7 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI53844 , PJI , VA27/97 , 1997-04-02 , 1999-04-01 , null , 8330.63 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI53705 , PJI , VA37/96 , 1997-01-04 , 1999-01-03 , null , 14882.86 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI53598 , PJI , PB95-0710 , 1996-11-01 , 1999-11-01 , null , 152056.06 , S , ) ) , Proyecto ( ActivEquipo ( PJI53724 , PJI , VA40/93 , 1993-12-29 , 1996-12-28 , null , 8414.17 , S , ) ) ][ NumeroTrams ( com.sigma.investigacion.cawdos.entity.actividades.NumeroTrams@6db05cfb ) ][ Actividad: ( PEC80 , PEC , 2005-09-01 , null , null , ALT , null , null , , MARQUES CUESTA, LUIS ALBERTO , S , ) ][ ProjecteInnovacio ( Actividad: ( PID6876 , PID , 2017-09-01 , null , null , PRO , , , MENTUm-ORIENTA: Diseño de un Sistema de Mentorización Integral Profesores-Alumnos Mentores en la E.T.S.I. Telecomunicación de la Universidad de Valladolid - PID2017/126 , , S , ) ) , ProjecteInnovacio ( Actividad: ( PID5630 , PID , 2016-09-01 , null , null , PRO , , , Proyecto MENTUm- Proyecto de MENTorización en la E.T.S.I. Telecomunicación de la Universidad de Valladolid - PID2016/106 , , S , ) ) ][]

PUBLICACIONES

Artículos de revista (82)

Marques, Luis A.; Aboy, Maria; Santos, Ivan; Lopez, Pedro; Cristiano, Fuccio; La Magna, Antonino; Huet, Karim; Tabata, Toshiyuki; Pelaz, Lourdes. Ultrafast Generation of Unconventional 001 Loops in Si. Physical Review Letters 2017; 119.
Enlace a la publicación
Pelaz, Lourdes; Marques, Luis A.; Aboy, Maria; Lopez, Pedro; Santos, Ivan. Improved physical models for advanced silicon device processing. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 2017; 62: 62-79.
Enlace a la publicación
Santos, Ivan; Lopez, Pedro; Aboy, Maria; Marques, Luis A.; Pelaz, Lourdes. Characterization of amorphous Si generated through classical molecular dynamics simulations. PROCEEDINGS OF THE 2013 SPANISH CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES (CDE 2013) 2017.
Lopez, Pedro; Ruiz, D. C.; Santos, I.; Aboy, M.; Marques, L. A.; Trochet, M.; Mousseau, N.; Pelaz, L. Evaluation of energy barriers for topological transitions of Si self-interstitial clusters by classical molecular dynamics and the kinetic activation-relaxation technique. PROCEEDINGS OF THE 2013 SPANISH CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES (CDE 2013) 2017.
Santos, Ivan; Aboy, Maria; Lopez, Pedro; Marques, Luis A.; Pelaz, Lourdes. Insights on the atomistic origin of X and W photoluminescence lines in c-Si from ab initio simulations. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 2016; 49.
Enlace a la publicación
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Capítulos de libros (28)

Pelaz, Lourdes; Marques, Luis A.; Lopez, Pedro; Santos, Ivan; Aboy, Maria. Modeling of defect generation and dissolution in ion implanted semiconductors. En: Ion Implantation Technology 2010. 2011. p. 176-180.

Pelaz, Lourdes; Aboy, Maria; Marques, Luis A.; Lopez, Pedro; Santos, Ivan. Atomistic Modeling of Junction Formation: Tools for Physics Understanding and Process Optimization. En: Analytical Techniques for Semiconductor Materials and Process Characterization 6 (ALTECH 2009). 2009. p. 411-418.

Pelaz, L.; Marques, L.; Aboy, M.; Lopez, P.; Santos, I.; Duffy, R. Atomistic process modeling based on Kinetic Monte Carlo and Molecular Dynamics for optimization of advanced devices. En: Electron Devices Meeting (IEDM), 2009 IEEE International. 2009.

Lopez, Pedro; Pelaz, Lourdes; Marques, Luis Alberto; Aboy, Maria; Santos, Ivan. Atomistic simulations of the effect of implant parameters on Si damage. En: 2009. p. 12-15.

Santos, Ivan; Marques, Luis A.; Pelaz, Lourdes; Lopez, Pedro; Aboy, Maria. Influence of Si surface on damage generation and recombination. En: 2009. p. 50-53.

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Working papers (1)

L.A. Marqués; Parallelization of a classical molecular dynamics code for semiconductors. CINECA Consorzio Interuniversitario; 2008.
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AYUDA A LA INVESTIGACIÓN

Proyectos (18)

MODELADO ATOMÍSTICO DE MECANISMOS DE CRECIMIENTO EPITAXIAL DE SIGE. PELAZ MONTES, MARIA LOURDES (IP). TEC2017-86150-P. MINISTERIO DE ECONOMÍA Y COMPETITIVIDAD FONDOS FEDER 2018-2020
ESTUDIO DE PROCESOS TECNOLÓGICOS AVANZADOS PARA LA FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS NANOMÉTRICOS MEDIANTE TÉCNICAS DE SIMULACIÓN PREDICTIVA. MARQUES CUESTA, LUIS ALBERTO (IP). VA119G18. JUNTA DE CASTILLA Y LEÓN -CONSEJERÍA DE EDUCACIÓN 2018-2020
MODELADO ATOMÍSTICO DE LOS MECANISMOS DE LIBERACIÓN DE TENSIÓN PARA EL CRECIMIENTO DE NANOESTRUCTURAS EN SIGE. PELAZ MONTES, MARIA LOURDES (IP). VA097P17. JUNTA DE CASTILLA Y LEÓN -CONSEJERÍA DE EDUCACIÓN 2017-2019
INGENIERÍA DE DEFECTOS PARA EXPLORAR NUEVAS APLICACIONES EN SEMICONDUCTORES APOYADA EN LA SIMULACIÓN MULTIESCALA. PELAZ MONTES, MARIA LOURDES (IP). TEC2014-60694-P. MINISTERIO DE ECONOMÍA Y COMPETITIVIDAD 2015-2018
EXPLORACIÓN MEDIANTE MODELADO DE ESTRATEGIAS DE INGENIERÍA DE DEFECTOS EN ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS. PELAZ MONTES, MARIA LOURDES (IP). VA331U14. JUNTA DE CASTILLA Y LEÓN -CONSEJERÍA DE EDUCACIÓN 2014-2017
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Convenios (1)

Asesoramiento para el desarrollo de dispositivos tecnológicos para congresos, eventos y museos.. PELAZ MONTES, MARIA LOURDES . EVENTO ORGANIZAC. DE SERVICIOS PLENOS,SL EVENTO ORGANIZAC. DE SERVICIOS PLENOS,SL 2014
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Otras ayudas y becas (2)

Universidad de Valladolid. Beca de Doctorado de la Universidad de Valladolid. MARQUES CUESTA, LUIS ALBERTO. 1993
Universidad de Valladolid. Beca de Colaboración en las tareas de Investigación del Departamento de Electricidad y Electrónica. MARQUES CUESTA, LUIS ALBERTO. 1992
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OTROS

Tesis doctorales (1)

SANTOS TEJIDO, IVAN MULTISCALE MODELING OF DOPANT IMPLANTATION AND DIFFUSION IN CRYSTALLINE AND AMORPHOUS SILICON. UNIVERSIDAD DE VALLADOLID; 2010.
 
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Congresos (63)

17th Conference on Defects - Recognition Imaging and Physics in Semiconductors, VALLADOLID ( ESPAÑA ) 08/10/2017 - 12/10/2017
(Ponencia). M. Ruiz; M. Aboy; Luis A. Marqués; I. Santos; P. López; L. Pelaz; Identification of extended defect atomic configurations in silicon through transmission electron microscopy image simulation
(Ponencia). I. Santos; M. Aboy; P. López; Luis A. Marqués; L. Pelaz; W and X photoluminescence centers in c-Si: chasing candidates at atomic level through multiscale simulations
29th International Conference on Defects in Semiconductors, Matsue ( JAPÓN ) 31/07/2017 - 04/08/2017
(Ponencia). I. Santos; M. Aboy; P. López; Luis A. Marqués; L. Pelaz; First-principles study of the effect of C and Ge atoms on hole traps in amorphous silicon
11ª Conferencia de Dispositivos Electronicos, BARCELONA ( ESPAÑA ) 08/02/2017 - 10/02/2017
(Póster). I. Santos; P. López; M. Aboy; L.A. Marqués; L. Pelaz; Characterization of amorphous Si generated through classical molecular dynamics simulations
(Póster). P. López; Calvo, D; I. Santos; M. Aboy; L.A. Marqués; Trochet, M; Mousseau, N; L. Pelaz; Evaluation of energy barriers for topological transitions of Si self-interstitial clusters by classical molecular dynamics and the kinetic activation-relaxation technique
(Póster). Ruiz, M; L.A. Marqués; M. Aboy; I. Santos; P. López; L. Pelaz; Transmission Electron Microscopy Image Simulation of Extended Defects in Silicon
13th International Conference on Computer Simulation of Radiation Effects in Solids, Loughborough ( GRAN BRETAÑA ) 19/06/2016 - 24/06/2016
(Ponencia). L. Pelaz; Luis A. Marqués; I. Santos; M. Ruiz; M. Aboy; P. López; Bridging radiation induced defects in semiconductors to macroscopic effects through multiscale simulation
Advances in Materials & Processing Technologies, LEGANES ( ESPAÑA ) 14/12/2015 - 17/12/2015
(Ponencia). Santos, I; Hernández Díaz, AM; Castrillo, P; Ruiz, M; Marqués, LA; Jiménez-Alonso, JF; Pelaz, L; Modelling of defect induced strain fields in crystalline semiconductors
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Organización de actos (2)

9ª Conferencia de Dispositivos Electronicos, VALLADOLID ( ESPAÑA ) 12/02/2013 - 14/02/2013
19th International Conference on Ion Implantation Technology, VALLADOLID ( ESPAÑA ) 25/06/2012 - 29/06/2012
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Estancias de investigación (3)

Paralelización de un código de dinámica molecular clásica para semiconductores. 01/10/2007 - 21/12/2007
     Universidad de Edimburgo. Edimburgo ( GRAN BRETAÑA )
Simulación de procesos de mezclado por haces de iones en semiconductores. 01/07/1996 - 04/09/1996
     Universidad de California Berkeley. Livermore ( ESTADOS UNIDOS DE AMÉRICA )
Simulación del sputtering y la re-cristalización del silicio inducidos por radiación. 01/02/1995 - 21/12/1995
     Universidad de California Berkeley. Livermore ( ESTADOS UNIDOS DE AMÉRICA )
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Cursos y seminarios impartidos (3)

Ion Implantation Science and Technology School: Modeling Ion Implantation and Annealing in Silicon. PORTLAND ( ESTADOS UNIDOS DE AMÉRICA ). 28/06/2014 - 28/06/2014
Ion Implantation Science and Technology School: Modeling Ion Implantation in Modern Devices. VALLADOLID ( ESPAÑA ). 22/06/2012 - 22/06/2012
Seminario en la Universidad de Kioto: Atomistic Modeling of boron cluster implantation into silicon. Kioto ( JAPÓN ). 08/06/2011
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Experiencia en gestión de I+D (1)

Grupo de Investigación Reconocido de Electrónica, Otros, 01/01/2010
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Entidades científicas (1)

. Otros. Des de 01/09/2005
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Otras actividades (4)

Premio Extraordinario de Licenciatura. Universidad de Valladolid curso 92-93. Premio Extraordinario de Licenciatura. Universidad de Valladolid curso 92-93.
Premio al mejor expediente académico en la licenciatura de Ciencias. Caja Salamanca y Soria curso 92-93 Premio al mejor expediente académico en la licenciatura de Ciencias. Caja Salamanca y Soria curso 92-93
20/07/2016, Subdirector de la ETSI de Telecomunicación Subdirector de la ETSI de Telecomunicación
01/06/2008, Dirección del Departamento de Electricidad y Electrónica Dirección del Departamento de Electricidad y Electrónica
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