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GONZALEZ OSSORIO, OSCAR

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the Electrical Properties of HfO2-Based Resistive Switching Devices28160, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=65135]], camposKey:2162-8769 2021-01-01 Performance Assessment of Amorphous HfO2-Based RRAM Devices for Neuromorphic Applications00, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=65137]], camposKey:1938-6737 2021-01-01 Performance assessment of amorphous HfO2-based RRAM devices for neuromorphic applications2935, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=65133]], camposKey:0038-1101 2021-01-01 Study of the set and reset transitions in HfO2-based ReRAM devices using a capacitor discharge00, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=65136]], 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intermediate conductance states in RRAM devices for synaptic applications00, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=52708]], camposKey:0167-9317 2019-01-01 Dynamics of set and reset processes on resistive switching memories00, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=57062]], camposKey:2166-532X 2019-01-01 Multilevel HfO2-based RRAM devices for low-power neuromorphic networks0811200, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=52711]], camposKey:0021-8979 2018-01-01 Analysis and control of the intermediate memory states of RRAM devices by means of admittance parameters00, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=11079]], camposKey:0361-5235 2018-01-01 The Role of Defects in the Resistive Switching Behavior of Ta2O5-TiO2-Based Metal Insulator Metal (MIM) Devices for Memory Applications49384943, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=3785]], camposKey:0741-3106 2017-01-01 Experimental observation of negative susceptance in HfO2-based RRAM devices12161219][][][][][][][com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcAltresAjutsBeca[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcAltresAjutsBecaPK[ifcactivitat=AAB, ifccomptador=63917]], com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcAltresAjutsBeca[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcAltresAjutsBecaPK[ifcactivitat=AAB, ifccomptador=62152]], com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcAltresAjutsBeca[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcAltresAjutsBecaPK[ifcactivitat=AAB, ifccomptador=62942]]][com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcAltresAjutsBeca[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcAltresAjutsBecaPK[ifcactivitat=AAB, ifccomptador=63917]], 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PUBLICACIONES

Artículos de revista (20)

GONZALEZ OSSORIO, OSCAR; SAHELICES FERNANDEZ, BENJAMIN. Off-chip prefetching based on Hidden Markov Model for non-volatile memory architectures . PLOS ONE 2021; 16(9).

Enlace a la publicación
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AYUDA A LA INVESTIGACIÓN

Proyectos (2)

CARACTERIZACIÓN ELÉCTRICA AVANZADA DE DISPOSITIVOS MEMRISTIVOS. Equipo Investigadores: CASTAN LANASPA, MARÍA HELENA (IP); DUEÑAS CARAZO, SALVADOR (IP); GARCIA GARCIA, HECTOR. Equipo de Trabajo: GARCIA OCHOA, EDUARDO; GONZALEZ OSSORIO, OSCAR; VINUESA SANZ, GUILLERMO; TAMM ,, AILE; KALAM ., KRISTJAN; KUKLI ., KAUPO. Personal Contratado: DEL VAL DE LA FUENTE, TERESA. PID2022-139586NB-C43. Entidades colaboradoras AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC), UNIVERSIDAD DE GRANADA, UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BARCELONA . Entidades Participantes: UNIVERSIDAD DE VALLADOLID (UVa). Entidades Financiadoras: AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN, FONDOS FEDER, UNION EUROPEA, MICINN. MINISTERIO DE CIENCIA E INNOVACIÓN . 01/09/2023-31/08/2026

FEDERUnión EuropeaMnisterio de Ciencia e InnovaciónAEI
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Convenios/Contratos OTC (3)

El Sector del Comercio en Castilla y León.. Equipo Investigadores: SALVADOR INSUA, JOSE ANTONIO (IP); S PHABMIXAY S PHABMIXAY, CHANTHALY; INGELMO PALOMARES, MARTA MARIA; TEMPRANO GARCIA, VICTOR; DUEÑAS CARAZO, SALVADOR; SAHELICES FERNÁNDEZ, BENJAMÍN; GONZALEZ OSSORIO, OSCAR; BEDATE CENTENO, ANA MARIA. Entidades Participantes: FUNDACION GENERAL DE LA UNIVERSIDAD DE VALLADOLID.. Entidades Financiadoras: CONSEJO ECONOMICO Y SOCIAL CASTILLA LEON.. 13/06/2022

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Otras ayudas y becas (3)

CONTRATO POP-UVA 2018 DE ÓSCAR GONZÁLEZ OSSORIO: CARACTERIZACIÓN ELÉCTRICA DE DISPOSITIVOS RRAM, EN EL CENTRO DE TRABAJO UBICADO EN LA ESCUELA DE INGENIERÍA INFORMÁTICA.. CASTAN LANASPA, MARÍA HELENA (Director). GONZALEZ OSSORIO, OSCAR (Beneficiario). 07/10/2021 - 06/03/2023. 42.205,70 EUR.

Banco SantanderUniversidad de Valladolid
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OTROS

Congresos (32)

13th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2021, Sevilla ( ESPAÑA ) 09/06/2021 - 11/06/2021
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
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Estancias de investigación (2)

Estudio experimental de un array de 4Kbit de dispositivos RRAM, realizado en el centro de investigación IHP (Leibniz Institut für innovative Mikroelektronik), ubicado en Frankfurt (Oder) - Brandeburgo, Alemania Asimismo, también se realizó la caracterización eléctrica de una oblea de chips RRAM con dieléctrico de HfO2 amorfo.. 12/07/2019 - 13/08/2019
     LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK (IHP GmbH). FRANKFURT ( ALEMANIA )


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