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GONZALEZ OSSORIO, OSCAR

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2021-09-01 Study of the set and reset transitions in HfO2-based ReRAM devices using a capacitor discharge00, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=65184]], camposKey:1541-7026 2021-03-01 Optimized programming algorithms for multilevel RRAM in hardware neural networks00, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=67164]], camposKey:2079-9292 2021-01-01 Influences of the Temperature on the Electrical Properties of HfO2-Based Resistive Switching Devices28160, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=65135]], camposKey:2162-8769 2021-01-01 Performance Assessment of Amorphous HfO2-Based RRAM Devices for Neuromorphic Applications00, 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and Voltage Control of Intermediate States in Bipolar Rram Devices for Neuristor Applications1720, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=57061]], camposKey:2168-6734 2020-01-01 Current Pulses to Control the Conductance in RRAM Devices291296, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=55347]], camposKey:1938-6737 2020-01-01 Double Swing Quiescent-Current: An Experimental Detection Method of Ferroelectricity in Very Leaky Dielectric Films36, com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRev[id=com.sigma.fs3.argos.domain.gpc.GpcArticlesRevPK[ifcactivitat=ARE, ifccomptador=57060]], camposKey:2079-9292 2020-01-01 Programming Pulse Width Assessment for Reliable and Low-Energy Endurance Performance in Al:HfO2-Based RRAM Arrays8640, 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PUBLICACIONES

Artículos de revista (21)

DUEÑAS CARAZO, SALVADOR; GONZALEZ OSSORIO, OSCAR; GARCIA GARCIA, HECTOR. Analysis of the performance of Nb2O5-doped SiO2-based MIM devices for memory and neural computation applications . SOLID-STATE ELECTRONICS 2021; 186.

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AYUDA A LA INVESTIGACIÓN

Proyectos (1)

FABRICACIÓN, CARACTERIZACIÓN, SIMULACIÓN, MODELADO Y APLICACIONES DE DISPOSITIVOS DE CONMUTACIÓN RESISTIVA.. Equipo Investigadores: CASTAN LANASPA, MARIA HELENA (IP); DUEÑAS CARAZO, SALVADOR (IP); GARCIA GARCIA, HECTOR; SAHELICES FERNANDEZ, BENJAMIN. Equipo de Trabajo: GONZALEZ OSSORIO, OSCAR; KUKLI ,, KAUPO; AARIK ,, JAAN; TAMM ,, AILE. Personal Contratado: VINUESA SANZ, GUILLERMO. TEC2017-84321-C4-2-R. Entidades colaboradoras AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC), UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BARCELONA , UNIVERSIDAD DE GRANADA. Entidades Participantes: UNIVERSIDAD DE VALLADOLID (UVa). Entidades Financiadoras: FONDOS FEDER, MINISTERIO DE ECONOMIA Y COMPETITIVIDAD . 01/01/2018-30/09/2021

FEDERMinisterio de Economía y Competitividad
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Convenios (1)

El Sector del Comercio en Castilla y León.. Equipo Investigadores: SALVADOR INSUA, JOSE ANTONIO (IP); GONZALEZ OSSORIO, OSCAR; BEDATE CENTENO, ANA MARIA; INGELMO PALOMARES, MARTA MARIA; DUEÑAS CARAZO, SALVADOR; TEMPRANO GARCIA, VICTOR; SAHELICES FERNANDEZ, BENJAMIN; S PHABMIXAY S PHABMIXAY, CHANTHALY. Entidades Participantes: FUNDACION GENERAL DE LA UNIVERSIDAD DE VALLADOLID.. Entidades Financiadoras: CONSEJO ECONOMICO Y SOCIAL CASTILLA LEON.. 13/06/2022

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Otras ayudas y becas (3)

CONTRATO POP-UVA 2018 DE ÓSCAR GONZÁLEZ OSSORIO: CARACTERIZACIÓN ELÉCTRICA DE DISPOSITIVOS RRAM, EN EL CENTRO DE TRABAJO UBICADO EN LA ESCUELA DE INGENIERÍA INFORMÁTICA.. CASTAN LANASPA, MARIA HELENA (Director). GONZALEZ OSSORIO, OSCAR (Beneficiario). 07/10/2021 - 06/03/2023. 42.205,70 EUR.

Banco SantanderUniversidad de Valladolid
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OTROS

Congresos (32)

Proceedings of the 2021 13th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2021, Sevilla 09/06/2021 - 11/06/2021
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
(Ponencia). Cruz Gonzalez C.S.; Sahelices B.; Jimenez J.; Ossorio O.G.; Castan H.; Gonzalez M.B.; Vinuesa G.; Duenas S.; Campabadal F.; Garcia H. Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes
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Estancias de investigación (2)

Estudio experimental de un array de 4Kbit de dispositivos RRAM, realizado en el centro de investigación IHP (Leibniz Institut für innovative Mikroelektronik), ubicado en Frankfurt (Oder) - Brandeburgo, Alemania Asimismo, también se realizó la caracterización eléctrica de una oblea de chips RRAM con dieléctrico de HfO2 amorfo.. 12/07/2019 - 13/08/2019
     LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK (IHP GmbH). FRANKFURT ( ALEMANIA )


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